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台积电自研ARM芯片:7nm工艺4核频率高达4GHz

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台积电自研ARM芯片:7nm工艺4核频率高达4GHz
白字.资讯.2019-06-24
在本月初日本京都举办的VLSI Symposium(超大规模集成电路研讨会)期间,台积电展示了自己设计的一颗芯片(chiplet)This。This采用7nm工艺。4.4x6.2mm(27.28 mm²),CoWos(晶圆基底封装),双芯片结构,其一内建4个Cortex A72核心,另一内建6MiB三缓。

在本月初日本京都举办的VLSI Symposium(超大规模集成电路研讨会)期间,台积电展示了自己设计的一颗芯片(chiplet)This。基本参数上,This采用7nm工艺,4.4x6.2mm(27.28 mm²),CoWos(晶圆基底封装),双芯片结构,其一内建4个Cortex A72核心,另一内建6MiB三缓。

台积电自研ARM芯片:7nm工艺4核频率高达4GHz

This的标称最高主频为4GHz,实测最高居然达到了4.2GHz(1.375V)。同时,台积电还开发了称之为LIPINCON互连技术,信号数据速率8 GT/s。

台积电称,“This”虽然是ARM架构,但是为高性能计算平台设计,这也解释其主频为何如此惊人。


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